型号： IRF7493TRPBF
品牌： Infineon(英飞凌)
封装： SOP-8
描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：9.3A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,5.6A N沟道,80V,9.3A,15mΩ@10V
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 9.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
包装数量：4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.9 mm
零件号别名: IRF7493TRPBF SP001575326
单位重量: 540 mg
