型号： IPD50N03S4L-06
品牌： Infineon(英飞凌)
封装： TO-252-3
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 56 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-T2
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 7 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 1 ns
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP000415580 IPD5N3S4L6XT IPD50N03S4L06ATMA1
单位重量: 330 mg
