型号： BSC010N04LS
品牌： Infineon(英飞凌)
封装： TDSON-8-FL(6x5)
描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：38A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1mΩ@10V,50A
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 95 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 139 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 5
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
开发套件: EVAL-600W-12V-LLC-A, EVAL_600W_12V_LLC_CFD7, EVAL_600W_12V_LLC_P7, KIT_600W_LLC_DI_CTRL
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 140 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
包装数量：5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP000928282 BSC010N04LSATMA1
单位重量: 100 mg
